super junction mosfet 文章 最新資訊
英飛凌推出針對工業(yè)與消費類應用優(yōu)化的OptiMOS? 7功率MOSFET
- 各行業(yè)高功耗應用的快速增長對功率電子技術提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關鍵作用，而針對應用優(yōu)化的設計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應用場景為核心的設計理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于工業(yè)與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進一步擴展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應用產(chǎn)品組合。新OptiMOS
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET
英飛凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列
- 電動汽車充電、電池儲能系統(tǒng)，以及商用、工程和農用車輛（CAV）等大功率應用場景，正推動市場對更高系統(tǒng)級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預期。同時，這些需求也帶來了新的設計挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴苛環(huán)境條件下實現(xiàn)可靠運行、在應對瞬態(tài)過載時如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應對這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC? MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET
體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業(yè)設備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
- 關鍵字： ROHM SiC MOSFET
韓國在釜山啟動首個8英寸碳化硅工廠，年產(chǎn)量預計達3萬片晶圓
- 碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先?，F(xiàn)在，韓國也加大了力度——Maeil 商業(yè)報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據(jù)報道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產(chǎn)設施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產(chǎn) 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅報》所強調，釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑，旨在提升國內8英寸碳化硅功率半導體的生產(chǎn)并
- 關鍵字： 碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
iDEAL推出具有行業(yè)領先性價比的200 V SuperQ? MOSFET系列
- ?iDEAL半導體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現(xiàn)了階躍式提升，同時保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
- 關鍵字： iDEAL MOSFET
英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET
- 隨著全球汽車行業(yè)電氣化進程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領域如此，電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉換器和電動兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質量標準的同時，能夠應對技術、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布擴展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合，推出新型車規(guī)級150V MOSFET產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電動汽車的嚴苛要求量身打造，并
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET 汽車電氣化
iDEAL 半導體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領先的成本×性能
- iDEAL 半導體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進入量產(chǎn)階段，另外還有四個 200V 器件正在進行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術的第一個重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時，保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、大規(guī)?？芍圃煨院驮?175°C 下經(jīng)過驗證的可靠性。首個進入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
- 關鍵字： MOSFET 選型MOS 新品 iDEAL
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
- 中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
- 關鍵字： 東芝 SiC MOSFET
SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解
- 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項優(yōu)勢。比如僅需 1 臺帶前
- 關鍵字： 202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2
- 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導通電阻（
- 關鍵字： 英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200V
iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術合作伙伴協(xié)議
- 繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現(xiàn)突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術
- 關鍵字： iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結合以優(yōu)化SSR？
- 固態(tài)繼電器 （SSR） 是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調 （HVAC） 設備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離?；?CT 的固態(tài)隔離器 （SSI） 包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調器部分。每個部分包含一個線圈，兩個線圈由二氧化硅 （SiO2） 介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個線圈之間傳輸信號。該技術與標準CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
- 關鍵字： 固態(tài)隔離器 MOSFET IGBT 優(yōu)化SSR
iDEAL的SuperQ技術正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET
- iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區(qū)域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產(chǎn)品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強度、量產(chǎn)能力強以及在175°C結溫下的可靠性
- 關鍵字： iDEAL MOSFET SuperQ
選型必看！MOSFET四大非理想?yún)?shù)詳解
- 幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數(shù)的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數(shù)。后續(xù)的內容，我們再通過微觀結構去理解一下導致這些參數(shù)的原因
- 關鍵字： 選型指南 MOSFET 無源器件
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